• Koszyk jest pusty
  • x
Do bezpłatnej dostawy brakuje -,--
Darmowa dostawa!
Suma brutto 0,00 zł
Cena uwzględnia rabaty
Szukaj
0,00 zł
0
  • Koszyk jest pusty
  • x
Do bezpłatnej dostawy brakuje -,--
Darmowa dostawa!
Suma brutto 0,00 zł
Cena uwzględnia rabaty
Rabat 2%

dla zalogowanych klientów
Wysyłka w 1-2 dni

zamów najlepiej przed 13:00
Darmowa dostawa

zamówień powyżej 1000zł
Wysyłka w 1-2 dni

zamów najlepiej przed 13:00
Darmowa dostawa

zamówień powyżej 1000zł

  • Dysk SSD GOODRAM IRDM PRO NANO 512GB PCIe NVMe Gen 4x4 M.2 2230 (5100/4600 MB/s) 3D NAND

Dysk SSD GOODRAM IRDM PRO NANO 512GB PCIe NVMe Gen 4x4 M.2 2230 (5100/4600 MB/s) 3D NAND Dysk SSD GOODRAM IRDM PRO NANO 512GB PCIe NVMe Gen 4x4 M.2 2230 (5100/4600 MB/s) 3D NAND
Symbol: IRP-SSDPR-P44N-512-30
266.00
szt. Do przechowalni
Zaloguj się aby zbierać punkty które wymienisz na rabaty.
Wysyłka w ciągu 1-2 dni
Cena przesyłki 5
Odbiór osobisty 0
Dostawa w Busku-Zdroju 5
Paczkomaty InPost 12
Kurier 18
Dostępność 26 szt.
EAN 5908267965917
  • Opis
  • Gwarancja i parametry
  • Opinie (0)
  • Zadaj pytanie
Pojemność dysku: 512 GB

Format dysku: M.2 2230

Typ dysku: SSD

Typ kości pamięci: 3D NAND

Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak

Wsparcie dla technologii TRIM: Tak

Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe

Typ złącza: M.2 klucz M

Prędkość odczytu (max): 5100 MB/s

Prędkość zapisu (max): 4600 MB/s

TBW (ang. Total Bytes Written): 300.0

Odczyt losowy: 780000 IOPS

Zapis losowy: 920000 IOPS

Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h

Kolor obudowy: Czarny (Black)

Informacje dodatkowe: Kontroler: Phison E21T, Temperatura: -25°C ~ 85°C, Temperatura przechowywania: -40°C ~ 85°C, Wymiary: 22 x 30 x 2,2 mm, 5 letnia producencka z ograniczeniem TBW

Gwarancja producenta: 60
Gwarancja producenta:
60
Pojemność dysku:
512 GB
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
Typ złącza:
M.2 klucz M
Format dysku:
M.2 2230
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Prędkość odczytu (max):
5100 MB/s
Prędkość zapisu (max):
4600 MB/s
Odczyt losowy:
780000 IOPS
Zapis losowy:
920000 IOPS
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
300.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Typ kości pamięci:
3D NAND
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.

  • Oceń

Jakość
Funkcjonalność
Cena
Podpis
Opinia
Podpis
E-mail
Zadaj pytanie
Sklep internetowy na oprogramowaniu Sky-Shop.pl sky-shop.pl